电镀的负向电压有几伏就够了,阳极氧化则需要从十几伏到几十伏的电压。生成阳极氧化膜时的电流有离子电流和电子电流两种,对两者要加以明确的区分。无镍封闭剂对铝阳极氧化膜的封孔效果很好，是未来发展的趋势。铝阳极氧化膜的生成是由离子电流完成的。考虑到离子的电传导原理,必须区分弱电场下的离子传导和强电场下的离子传导两种情况。弱电场下的离子传导是离子逆电场方向的移动。而强电场下的离子传导则没有离子逆电场方向移动的情况出现。阳极氧化时,单位电压的阻挡层成膜率是10A/v,阳极氧化是在强电场条件下进行的。

阳极氧化时只考虑强电场下的离子传导即可。在强电场下的阴离子或者阳离子的离子电流不是理论公式而是实验公式。i=Aexp(BE)式中,i是离子电流密度;E是电压强度;A和B是常数。公式表示施加在氧化膜上的电压变大的时候,离子电流呈指数级放大。在电阻上增加电压时,电流与电压成线性关系,这是众所周知的欧姆定律。离子传导不遵从欧姆定律。公式的实质是暗示在离子传导时,电阻的大小是由离子电流密度决定的。铝氧化铝-水溶液系界面,离子移动的电阻主要存在于以下三个地方:①铝-氧化铝界面;②氧化铝层的主体;③氧化铝-水溶液界面。这三处的*大电阻决定了离子传导速度的速率曲线。离子传导的主要理论有:Cabrera-Mott理论、Verwey 理论、Dewald理论、Dignam理论,等等。另外,阳极氧化中的电子传导几乎可以忽略,但在某种实验条件下电子传导起重要作用。比如,据说发生阳极氧化的“退火”或者生成合金阳极氧化时的发光现象是由电流引起的。研究电子传导时氧化膜物性是重要因素之一。

纯粹的氧化铝带隙为几电子伏至十几电子伏,对于电子传导来说是绝缘体。可是,阳极氧化膜不完全是氧化铝,因氧化膜中多有混入电解质阴离子,也有说成是准不纯物多的半导体。因此,也有考虑用半导体的传导结构来解释说明在铝阳极氧化膜中电子传导方法的。可是,将单结晶半导体的传导构造直接适用于非晶质的阳极氧化膜是有问题的。当前,物理学领域划分细致化,将其按非晶质半导体理论来进行研究更为重要。

有关阳极氧化膜电子电流的Vermilyea理论是重要的理论。Vermilyea认为氧化膜整流作用是因为氧化膜上存在弱点。高纯度铝上形成的氧化膜并不一定是厚度均匀的氧化膜,存在弱点,这点就是“瑕疵”。瑕疵的直径与氧化膜的阻挡层厚度是相同的等级,瑕疵部分的阻挡层厚度仅相当于正常阻挡层厚度的一半。像这样的瑕疵部分电子传导良好。曼彻斯特大学Wood教授提到受Vermilyea理论中“瑕疵的想法”启发用浅田法着色阳极氧化膜而形成孔中金属离子的沉积。